曾經的“專利流氓”Rambus今天居然公開了DDR5和HBM3的技術參數。
德媒ComputerBase報導稱, Rambus的規劃顯示, HBM3採用7nm製程製造, 頻寬高達4GT/s, 封裝架構更加複雜。 按照單晶片1024bit頻寬,
其實在今年9月, Rambus就號稱在實驗室搞定了第一塊完整的DDR5驗證產品, 電壓還只有1.1V。 然而必須指出的是, 至少在整個2018年, HBM3/DDR5的影子都不會見到, 最快最快也需要2019年。
曾經的“專利流氓”Rambus今天居然公開了DDR5和HBM3的技術參數。
德媒ComputerBase報導稱, Rambus的規劃顯示, HBM3採用7nm製程製造, 頻寬高達4GT/s, 封裝架構更加複雜。 按照單晶片1024bit頻寬,
其實在今年9月, Rambus就號稱在實驗室搞定了第一塊完整的DDR5驗證產品, 電壓還只有1.1V。 然而必須指出的是, 至少在整個2018年, HBM3/DDR5的影子都不會見到, 最快最快也需要2019年。